6-8 inç LN-on-Si Kompozit Alt Tabaka Kalınlığı 0,3-50 μm Si/SiC/Safir Malzemeler

Kısa Açıklama:

6 ila 8 inç arasındaki LN-on-Si kompozit alt tabaka, 0,3 μm ila 50 μm arasında değişen kalınlıklarda tek kristalli lityum niobat (LN) ince filmlerini silikon (Si) alt tabakalarla entegre eden yüksek performanslı bir malzemedir. Gelişmiş yarı iletken ve optoelektronik cihaz üretimi için tasarlanmıştır. Gelişmiş bağlama veya epitaksiyel büyüme tekniklerini kullanan bu alt tabaka, LN ince filminin yüksek kristal kalitesini sağlarken, silikon alt tabakanın büyük wafer boyutundan (6 ila 8 inç) yararlanarak üretim verimliliğini ve maliyet etkinliğini artırır.
Geleneksel yığın LN malzemelerine kıyasla, 6 ila 8 inçlik LN-on-Si kompozit alt tabaka, üstün termal uyum ve mekanik kararlılık sunarak büyük ölçekli wafer seviyesinde işleme için uygun hale gelir. Ek olarak, yüksek frekanslı RF cihazları, entegre fotonik ve MEMS sensörleri de dahil olmak üzere belirli uygulama gereksinimlerini karşılamak için SiC veya safir gibi alternatif temel malzemeler seçilebilir.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Teknik parametreler

Yalıtkanlar üzerinde 0,3-50 μm LN/LT
Üst katman
Çap	6-8 inç
Oryantasyon	X, Z, Y-42 vb.
Malzemeler	LT, LN
Kalınlık	0,3-50 μm
Altlık (Özelleştirilebilir)
Malzeme	Si, SiC, Safir, Spinel, Kuvars

Başlıca Özellikler

6 ila 8 inç arasındaki LN-on-Si kompozit alt tabaka, benzersiz malzeme özellikleri ve ayarlanabilir parametreleriyle öne çıkmakta olup, yarı iletken ve optoelektronik endüstrilerinde geniş uygulama alanına sahiptir:

1. Büyük Wafer Uyumluluğu: 6 ila 8 inç wafer boyutu, mevcut yarı iletken üretim hatlarıyla (örneğin, CMOS süreçleri) sorunsuz entegrasyon sağlayarak üretim maliyetlerini düşürür ve seri üretime olanak tanır.

2. Yüksek Kristal Kalitesi: Optimize edilmiş epitaksiyel veya bağlama teknikleri, LN ince filminde düşük kusur yoğunluğu sağlayarak, onu yüksek performanslı optik modülatörler, yüzey akustik dalga (SAW) filtreleri ve diğer hassas cihazlar için ideal hale getirir.

3. Ayarlanabilir Kalınlık (0,3–50 μm): Ultra ince LN katmanları (<1 μm) entegre fotonik çipler için uygundur, daha kalın katmanlar (10–50 μm) ise yüksek güçlü RF cihazlarını veya piezoelektrik sensörleri destekler.

4. Çoklu Altlık Seçenekleri: Yüksek frekanslı, yüksek sıcaklıklı veya yüksek güçlü uygulamaların taleplerini karşılamak için Si'ye ek olarak SiC (yüksek ısı iletkenliği) veya safir (yüksek yalıtım) gibi altlıklar da seçilebilir.

5. Termal ve Mekanik Stabilite: Silikon alt tabaka, sağlam mekanik destek sağlayarak işlem sırasında bükülmeyi veya çatlamayı en aza indirir ve cihaz verimliliğini artırır.

Bu özellikler, 6 ila 8 inç arasındaki LN-on-Si kompozit alt tabakayı 5G iletişimi, LiDAR ve kuantum optiği gibi en yeni teknolojiler için tercih edilen bir malzeme haline getiriyor.

Ana Uygulamalar

6 ila 8 inç boyutlarındaki LN-on-Si kompozit alt tabaka, olağanüstü elektro-optik, piezoelektrik ve akustik özellikleri nedeniyle yüksek teknoloji endüstrilerinde yaygın olarak kullanılmaktadır:

1. Optik İletişim ve Entegre Fotonik: Veri merkezlerinin ve fiber optik ağların bant genişliği taleplerini karşılayan yüksek hızlı elektro-optik modülatörler, dalga kılavuzları ve fotonik entegre devreler (PIC'ler) sağlar.

2.5G/6G RF Cihazları: LN'nin yüksek piezoelektrik katsayısı, onu yüzey akustik dalga (SAW) ve hacimsel akustik dalga (BAW) filtreleri için ideal hale getirerek 5G baz istasyonlarında ve mobil cihazlarda sinyal işlemeyi geliştirir.

3. MEMS ve Sensörler: LN-on-Si'nin piezoelektrik etkisi, tıbbi ve endüstriyel uygulamalar için yüksek hassasiyetli ivmeölçerler, biyosensörler ve ultrasonik dönüştürücüler geliştirilmesini kolaylaştırır.

4. Kuantum Teknolojileri: Doğrusal olmayan optik bir malzeme olarak LN ince filmler, kuantum ışık kaynaklarında (örneğin, dolanık foton çiftleri) ve entegre kuantum çiplerinde kullanılır.

5. Lazerler ve Doğrusal Olmayan Optik: Ultra ince LN katmanları, lazer işleme ve spektroskopik analiz için verimli ikinci harmonik üretimi (SHG) ve optik parametrik salınım (OPO) cihazları sağlar.

Standartlaştırılmış 6 ila 8 inç LN-on-Si kompozit alt tabaka, bu cihazların büyük ölçekli wafer fabrikalarında üretilmesine olanak tanıyarak üretim maliyetlerini önemli ölçüde düşürüyor.

Özelleştirme ve Hizmetler

Çeşitli Ar-Ge ve üretim ihtiyaçlarını karşılamak üzere 6 ila 8 inç LN-on-Si kompozit alt tabaka için kapsamlı teknik destek ve özelleştirme hizmetleri sunuyoruz:

1. Özel Üretim: Cihaz performansını optimize etmek için LN film kalınlığı (0,3–50 μm), kristal yönlendirmesi (X-kesim/Y-kesim) ve alt tabaka malzemesi (Si/SiC/safir) özelleştirilebilir.

2. Yonga Levhası Seviyesinde İşleme: 6 inç ve 8 inç yonga levhalarının toplu tedariği, kesme, parlatma ve kaplama gibi arka uç hizmetleri de dahil olmak üzere, alt tabakaların cihaz entegrasyonuna hazır olmasını sağlar.

3. Teknik Danışmanlık ve Test: Tasarım doğrulamasını hızlandırmak için malzeme karakterizasyonu (örneğin, XRD, AFM), elektro-optik performans testleri ve cihaz simülasyonu desteği.

Misyonumuz, Ar-Ge'den seri üretime kadar uçtan uca destek sunarak, 6 ila 8 inç arasındaki LN-on-Si kompozit alt tabakayı optoelektronik ve yarı iletken uygulamaları için temel bir malzeme çözümü olarak yerleştirmektir.

Çözüm

Geniş wafer boyutu, üstün malzeme kalitesi ve çok yönlülüğüyle 6 ila 8 inç arası LN-on-Si kompozit alt tabaka, optik iletişim, 5G RF ve kuantum teknolojilerinde ilerlemeleri yönlendiriyor. Yüksek hacimli üretim veya özelleştirilmiş çözümler için olsun, teknolojik yeniliği desteklemek üzere güvenilir alt tabakalar ve tamamlayıcı hizmetler sunuyoruz.