3 inç Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan (HPSI) SiC gofret 350um Sahte sınıf Birinci sınıf
Başvuru
HPSI SiC levhalar, çeşitli yüksek performanslı uygulamalarda kullanılan yeni nesil güç cihazlarının geliştirilmesinde çok önemli bir rol oynamaktadır:
Güç Dönüştürme Sistemleri: SiC levhalar, elektrik devrelerinde verimli güç dönüştürme için hayati öneme sahip güç MOSFET'leri, diyotlar ve IGBT'ler gibi güç cihazları için temel malzeme görevi görür. Bu bileşenler yüksek verimli güç kaynaklarında, motor sürücülerinde ve endüstriyel invertörlerde bulunur.
Elektrikli Araçlar (EV'ler):Elektrikli araçlara yönelik artan talep, daha verimli güç elektroniği kullanımını zorunlu kılıyor ve SiC levhalar bu dönüşümün ön saflarında yer alıyor. Elektrikli araç güç aktarma sistemlerinde bu levhalar, daha hızlı şarj sürelerine, daha uzun menzile ve genel araç performansının artmasına katkıda bulunan yüksek verimlilik ve hızlı anahtarlama yetenekleri sağlıyor.
Yenilenebilir Enerji:Güneş ve rüzgar enerjisi gibi yenilenebilir enerji sistemlerinde, SiC levhalar, daha verimli enerji yakalama ve dağıtımını sağlayan invertörlerde ve dönüştürücülerde kullanılır. SiC'nin yüksek termal iletkenliği ve üstün kırılma gerilimi, bu sistemlerin aşırı çevresel koşullar altında bile güvenilir bir şekilde çalışmasını sağlar.
Endüstriyel Otomasyon ve Robotik:Endüstriyel otomasyon sistemlerinde ve robotikte yüksek performanslı güç elektroniği, hızlı anahtarlama yapabilen, büyük güç yüklerini kaldırabilen ve yüksek stres altında çalışabilen cihazlar gerektirir. SiC tabanlı yarı iletkenler, zorlu çalışma ortamlarında bile daha yüksek verimlilik ve sağlamlık sağlayarak bu gereksinimleri karşılar.
Telekomünikasyon Sistemleri:Yüksek güvenilirlik ve verimli enerji dönüşümünün kritik önem taşıdığı telekomünikasyon altyapısında, SiC levhalar güç kaynaklarında ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. SiC cihazları, veri merkezlerinde ve iletişim ağlarında enerji tüketimini azaltmaya ve sistem performansını artırmaya yardımcı olur.
Yüksek güç gerektiren uygulamalar için sağlam bir temel sağlayan HPSI SiC gofret, enerji verimli cihazların geliştirilmesini mümkün kılarak endüstrilerin daha çevreci ve sürdürülebilir çözümlere geçişine yardımcı olur.
Özellikler
| mülk | Üretim Kalitesi | Araştırma Düzeyi | Sahte Not |
| Çap | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Kalınlık | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Yonga Levha Yönlendirmesi | Eksen üzerinde: <0001> ± 0,5° | Eksen üzerinde: <0001> ± 2,0° | Eksen üzerinde: <0001> ± 2,0° |
| Yonga Levhalarının %95'i için Mikro Boru Yoğunluğu (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Elektriksel Direnç | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Katkı maddesi | Katkısız | Katkısız | Katkısız |
| Birincil Düzlem Yönlendirmesi | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| Birincil Düz Uzunluk | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| İkincil Düz Uzunluk | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| İkincil Düzlem Yönlendirmesi | Si yüzü yukarı bakacak şekilde: Birincil düzlemden 90° saat yönünde ± 5,0° | Si yüzü yukarı bakacak şekilde: Birincil düzlemden 90° saat yönünde ± 5,0° | Si yüzü yukarı bakacak şekilde: Birincil düzlemden 90° saat yönünde ± 5,0° |
| Kenar Hariç Tutma | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Yay/Çarp | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Yüzey Pürüzlülüğü | C yüzü: Cilalı, Si yüzü: CMP | C yüzü: Cilalı, Si yüzü: CMP | C yüzü: Cilalı, Si yüzü: CMP |
| Çatlaklar (yüksek yoğunluklu ışıkla incelendi) | Hiçbiri | Hiçbiri | Hiçbiri |
| Altıgen Plakalar (yüksek yoğunluklu ışıkla incelendi) | Hiçbiri | Hiçbiri | Kümülatif alan %10 |
| Politip Alanları (yüksek yoğunluklu ışıkla incelendi) | Kümülatif alan %5 | Kümülatif alan %5 | Kümülatif alan %10 |
| Çizikler (yüksek yoğunluklu ışık altında incelenmiştir) | ≤ 5 çizik, toplam uzunluk ≤ 150 mm | ≤ 10 çizik, toplam uzunluk ≤ 200 mm | ≤ 10 çizik, toplam uzunluk ≤ 200 mm |
| Kenar Yontması | 0,5 mm'den daha geniş ve derin hiçbir şeye izin verilmez. | 2 adet izin verilir, genişlik ve derinlik ≤ 1 mm olmalıdır. | 5 adede izin verilir, genişlik ve derinlik ≤ 5 mm. |
| Yüzey Kirliliği (yüksek yoğunluklu ışıkla incelenmiştir) | Hiçbiri | Hiçbiri | Hiçbiri |
Başlıca Avantajlar
Üstün Termal Performans: SiC'nin yüksek termal iletkenliği, güç cihazlarında verimli ısı dağılımı sağlayarak, aşırı ısınmadan daha yüksek güç seviyelerinde ve frekanslarda çalışmalarına olanak tanır. Bu da daha küçük, daha verimli sistemler ve daha uzun çalışma ömrü anlamına gelir.
Yüksek Arıza Gerilimi: Silisyuma kıyasla daha geniş bir bant aralığına sahip olan SiC levhalar, yüksek voltaj uygulamalarını destekler ve bu da onları elektrikli araçlar, şebeke güç sistemleri ve yenilenebilir enerji sistemleri gibi yüksek arıza gerilimlerine dayanması gereken güç elektroniği bileşenleri için ideal hale getirir.
Azaltılmış Güç Kaybı: SiC cihazlarının düşük açık dirençleri ve hızlı anahtarlama hızları, çalışma sırasında enerji kaybını azaltır. Bu, yalnızca verimliliği artırmakla kalmaz, aynı zamanda kullanıldıkları sistemlerin genel enerji tasarrufunu da artırır.
Zorlu Ortamlarda Geliştirilmiş Güvenilirlik: SiC'nin sağlam malzeme özellikleri, yüksek sıcaklıklar (600°C'ye kadar), yüksek voltajlar ve yüksek frekanslar gibi aşırı koşullarda performans göstermesine olanak tanır. Bu da SiC levhalarını zorlu endüstriyel, otomotiv ve enerji uygulamaları için uygun hale getirir.
Enerji Verimliliği: SiC cihazları, geleneksel silikon tabanlı cihazlara göre daha yüksek güç yoğunluğu sunarak güç elektroniği sistemlerinin boyutunu ve ağırlığını azaltırken genel verimliliklerini de artırır. Bu durum, yenilenebilir enerji ve elektrikli araçlar gibi uygulamalarda maliyet tasarrufu ve daha küçük bir çevresel ayak izi sağlar.
Ölçeklenebilirlik: HPSI SiC gofretin 3 inç çapı ve hassas üretim toleransları, hem araştırma hem de ticari üretim gereksinimlerini karşılayarak seri üretime uygun olmasını sağlar.
Çözüm
3 inç çapında ve 350 µm ± 25 µm kalınlığındaki HPSI SiC levha, yeni nesil yüksek performanslı güç elektroniği cihazları için en uygun malzemedir. Isı iletkenliği, yüksek kırılma gerilimi, düşük enerji kaybı ve aşırı koşullar altında güvenilirliğinin benzersiz kombinasyonu, onu güç dönüştürme, yenilenebilir enerji, elektrikli araçlar, endüstriyel sistemler ve telekomünikasyon alanlarındaki çeşitli uygulamalar için vazgeçilmez bir bileşen haline getirmektedir.
Bu SiC gofret, özellikle daha yüksek verimlilik, daha fazla enerji tasarrufu ve gelişmiş sistem güvenilirliği elde etmeyi hedefleyen sektörler için uygundur. Güç elektroniği teknolojisi gelişmeye devam ederken, HPSI SiC gofret, yeni nesil, enerji verimli çözümlerin geliştirilmesi için temel oluşturarak daha sürdürülebilir, düşük karbonlu bir geleceğe geçişi sağlamaktadır.
Ayrıntılı Diyagram
