3 inç 76,2 mm 4H-Semi SiC alt tabaka levha Silisyum Karbür Yarı Yalıtkan SiC levhalar

Kısa Açıklama:

Elektronik ve optoelektronik endüstrisi için yüksek kaliteli tek kristalli SiC (Silisyum Karbür) levha. 3 inçlik SiC levha, yeni nesil bir yarı iletken malzemedir; 3 inç çapında yarı yalıtkan silisyum karbür levhalardır. Bu levhalar, güç, RF ve optoelektronik cihazların üretimi için tasarlanmıştır.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Ürün Özellikleri

3 inçlik 4H yarı yalıtımlı SiC (silisyum karbür) altlık levhalar, yaygın olarak kullanılan bir yarı iletken malzemedir. 4H, tetraheksahedral kristal yapıyı gösterir. Yarı yalıtım, altlığın yüksek direnç özelliklerine sahip olduğu ve akım akışından bir miktar izole edilebildiği anlamına gelir.

Bu tür alt tabaka levhaları şu özelliklere sahiptir: yüksek termal iletkenlik, düşük iletim kaybı, mükemmel yüksek sıcaklık direnci ve mükemmel mekanik ve kimyasal kararlılık. Silisyum karbürün geniş bir enerji aralığına sahip olması ve yüksek sıcaklıklara ve yüksek elektrik alan koşullarına dayanabilmesi nedeniyle, 4H-SiC yarı yalıtkan levhalar güç elektroniği ve radyo frekansı (RF) cihazlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

4H-SiC yarı yalıtımlı levhaların başlıca uygulama alanları şunlardır:

1--Güç elektroniği: 4H-SiC levhalar, MOSFET'ler (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistörler), IGBT'ler (Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistörler) ve Schottky diyotlar gibi güç anahtarlama cihazlarının üretiminde kullanılabilir. Bu cihazlar, yüksek voltaj ve yüksek sıcaklık ortamlarında daha düşük iletim ve anahtarlama kayıplarına sahiptir ve daha yüksek verimlilik ve güvenilirlik sunar.

2--Radyo Frekansı (RF) Cihazları: 4H-SiC yarı yalıtımlı levhalar, yüksek güçlü, yüksek frekanslı RF güç amplifikatörleri, çip dirençleri, filtreler ve diğer cihazların üretiminde kullanılabilir. Silisyum karbür, daha yüksek elektron doygunluk kayma oranı ve daha yüksek termal iletkenliği nedeniyle daha iyi yüksek frekans performansı ve termal kararlılığa sahiptir.

3--Optoelektronik cihazlar: 4H-SiC yarı yalıtımlı levhalar, yüksek güçlü lazer diyotları, UV ışık dedektörleri ve optoelektronik entegre devrelerin üretiminde kullanılabilir.

Pazar yönelimi açısından, güç elektroniği, RF ve optoelektronik alanlarının büyümesiyle birlikte 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretlere olan talep artmaktadır. Bunun nedeni, silisyum karbürün enerji verimliliği, elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji ve iletişim dahil olmak üzere geniş bir uygulama yelpazesine sahip olmasıdır. Gelecekte, 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretler pazarı oldukça umut verici olmaya devam etmekte ve çeşitli uygulamalarda geleneksel silikon malzemelerin yerini alması beklenmektedir.