2 inç Silisyum Karbür Gofret 6H-N Tipi Birinci Sınıf Araştırma Sınıfı Sahte Sınıf 330 μm 430 μm Kalınlık

2 inç Silisyum Karbür Plaka 6H-N Tipi Birinci Sınıf Araştırma Sınıfı Sahte Sınıf 330 μm 430 μm Kalınlık Öne Çıkan Görsel

Kısa Açıklama:

Silisyum karbürün birçok farklı polimorfu vardır ve 6H silisyum karbür yaklaşık 200 polimorftan biridir. 6H silisyum karbür, ticari amaçlar için silikon karbürlerin en sık görülen modifikasyonudur. 6H silisyum karbür gofretler çok büyük önem taşır. Yarı iletken olarak kullanılabilirler. Dayanıklılığı ve düşük malzeme maliyetleri nedeniyle kesme diskleri gibi aşındırıcı ve kesici aletlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Modern kompozit vücut zırhlarında ve kurşun geçirmez yeleklerde kullanılır. Ayrıca fren diskleri üretmek için kullanıldığı otomotiv endüstrisinde de kullanılır. Büyük dökümhane uygulamalarında, eritilen metalleri potalarda tutmak için kullanılır. Elektrik ve elektronik uygulamalarındaki kullanımı o kadar iyi bilinmektedir ki herhangi bir tartışmaya gerek duymaz. Ayrıca, güç elektroniği cihazlarında, LED'lerde, astronomide, ince filaman pirometrisinde, mücevheratta, grafen ve çelik üretiminde ve bir katalizör olarak kullanılır. %99,99 gibi şaşırtıcı bir kaliteye sahip 6H silisyum karbür gofretler sunuyoruz.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Silisyum karbür gofretin özellikleri şunlardır:

1.Silisyum karbür (SiC) gofret, mükemmel elektriksel özelliklere ve mükemmel termal özelliklere sahiptir. Silisyum karbür (SiC) gofret, düşük termal genleşmeye sahiptir.

2.Silisyum karbür (SiC) gofret üstün sertlik özelliklerine sahiptir. Silisyum karbür (SiC) gofret yüksek sıcaklıklarda iyi performans gösterir.

3. Silisyum karbür (SiC) yonga, korozyona, erozyona ve oksidasyona karşı yüksek direnç gösterir. Ayrıca, silisyum karbür (SiC) yonga, elmas veya kübik zirkonyadan daha parlaktır.

4. Daha iyi radyasyon direnci: SIC yongaları daha güçlü radyasyon direncine sahiptir ve bu da onları radyasyonlu ortamlarda kullanıma uygun hale getirir. Örnek olarak uzay araçları ve nükleer tesisler verilebilir.
5.Daha yüksek sertlik: SIC gofretler silikondan daha serttir, bu da işleme sırasında gofretlerin dayanıklılığını artırır.

6.Daha düşük dielektrik sabiti: SIC gofretlerin dielektrik sabiti, silikondan daha düşüktür; bu da cihazdaki parazit kapasitansı azaltmaya ve yüksek frekans performansını iyileştirmeye yardımcı olur.

Silisyum karbür gofretin çeşitli uygulamaları vardır

SiC, diyotlar, güç transistörleri ve yüksek güçlü mikrodalga cihazları gibi çok yüksek voltajlı ve yüksek güçlü cihazların üretiminde kullanılır. Geleneksel Si cihazlarına kıyasla, SiC tabanlı güç cihazları daha hızlı anahtarlama hızına, daha yüksek voltajlara, daha düşük parazitik dirençlere, daha küçük boyutlara ve yüksek sıcaklık kapasitesi sayesinde daha az soğutma ihtiyacına sahiptir.
Silisyum karbür (SiC-6H) - 6H gofret üstün elektronik özelliklere sahipken, silisyum karbür (SiC-6H) - 6H gofret en kolay hazırlanan ve en iyi incelenen gofrettir.
1. Güç Elektroniği: Silisyum Karbür Gofretler, elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji sistemleri ve endüstriyel ekipmanlar dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanılan Güç Elektroniği üretiminde kullanılır. Silisyum Karbürün yüksek ısı iletkenliği ve düşük güç kaybı, onu bu uygulamalar için ideal bir malzeme haline getirir.
2. LED Aydınlatma: LED aydınlatma üretiminde Silisyum Karbür plakalar kullanılır. Silisyum Karbürün yüksek mukavemeti, geleneksel aydınlatma kaynaklarına göre daha dayanıklı ve uzun ömürlü LED'lerin üretilmesini mümkün kılar.
3. Yarı İletken Cihazlar: Silisyum Karbür Gofretler, telekomünikasyon, bilgisayar ve tüketici elektroniği gibi çok çeşitli uygulamalarda kullanılan Yarı İletken Cihazların üretiminde kullanılır. Silisyum Karbürün yüksek ısı iletkenliği ve düşük güç kaybı, onu bu uygulamalar için ideal bir malzeme haline getirir.
4. Güneş Hücreleri: Güneş hücrelerinin üretiminde Silisyum Karbür yongalar kullanılır. Silisyum Karbürün yüksek mukavemeti, geleneksel güneş hücrelerine göre daha dayanıklı ve uzun ömürlü güneş hücreleri üretmeyi mümkün kılar.
Genel olarak, ZMSH Silisyum Karbür Gofret, çok çeşitli uygulamalarda kullanılabilen çok yönlü ve yüksek kaliteli bir üründür. Yüksek ısı iletkenliği, düşük güç kaybı ve yüksek mukavemeti, onu yüksek sıcaklık ve yüksek güçlü elektronik cihazlar için ideal bir malzeme haline getirir. ≤50 um Eğrilik/Çarpıklık, ≤1,2 nm Yüzey Pürüzlülüğü ve Yüksek/Düşük Dirençlilik değerleriyle Silisyum Karbür Gofret, düz ve pürüzsüz bir yüzey gerektiren her türlü uygulama için güvenilir ve verimli bir seçimdir.
SiC Substrat ürünümüz, optimum performans ve müşteri memnuniyetini sağlamak için kapsamlı teknik destek ve hizmetlerle birlikte gelir.
Uzman ekibimiz ürün seçimi, kurulum ve sorun giderme konusunda size yardımcı olmak için hazırdır.
Müşterilerimizin yatırımlarından maksimum fayda sağlamalarına yardımcı olmak için ürünlerimizin kullanımı ve bakımı konusunda eğitim ve öğretim sunuyoruz.
Ayrıca müşterilerimizin her zaman en son teknolojiye erişebilmelerini sağlamak için sürekli ürün güncellemeleri ve geliştirmeleri sağlıyoruz.